集成电路制造工艺的革新？

二氧化硅在晶体管与集成电路的发展史中类似于神化般的地位曾经一帆风顺地推动着晶体管集成电路发展，推动晶体管集成电路的制造工艺不断升级。作为晶体管门电路的基片，二氧化硅必须保证一定的厚度，这样才能实现电平的高低差异，进而实现CPU对数字信号的识别。在65纳米制程工艺中，二氧化硅的厚度已经降至5层原子那么厚。 然而，人们对芯片技术的要求并没有降低，他们需要更多突破性的芯片技术。这要求在更小的体积内集成更多的晶体管数目，需要更高的制造工艺。在迈向45纳米的过程中，二氧化硅的厚度受到了挑战，如果进一步降低二氧化硅的厚度将不可避免受到漏电等因素的影响。 在对芯片制造工艺的探索中，英特尔的工程师注意到了铪这种元素。在迈向45纳米制造工艺的路上，基于铪的高-K金属栅极技术发挥了重要的作用。以英特尔新推出的Penryn为例，由于采用了基于铪的高-K金属栅极技术，切换功耗比原来降低了30%，切换速度比原来提升了10%，栅极漏电比原来降低10倍，而源极向漏极的损耗减少5倍。 铪金属在芯片制造技术上的出现，延续了摩尔定律的生命力，使之再次以钟摆般稳健的步伐引导芯片产业界的发展。