急，急~~低介电常数材料的多孔SiLK与多孔MSQ是什么~~

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通过在SiLK中添加纳米级空洞可以进一步降低介电常数。目前多孔SiLK的介电常数为2.2。

MSQ是methylsilsesquioxane的缩写，这是一种硅基高分子材料，通过在MSQ中添加纳米级空洞，Porous

MSQ的介电常数可以达到2.2-2.5。

纳米级空洞通常是通过合成嵌段共聚物的办法来实现的。

MSQ通常以溶液的形式提供，通过Spin

coating的办法分布的硅片上后在保护性气氛下加热交联，去除空洞发生集团。最终形成类二氧化硅的多孔结构。